英特爾要和紫光一起開發3D NAND芯片?美光怎麼辦

美光科技和英特爾已經宣布將停止聯合開發3D NAND的計劃;


有報告顯示,英特爾可能會和中國的清華紫光(該公司幾年前曾經試圖收購美光)共同開發3D NAND。

 

這段時間以來,美光一直不太順利。我在大概兩周前的一篇題為“存儲器廠商的股票還要橫盤多久”的文章中指出,2017年11月份摩根士丹利下調存儲器類半導體公司的評級導致這些公司的股價大跳水,並自那以來一直處於橫盤震蕩中。我還注意到,一些不從事存儲器業務的半導體公司雖然也被摩根士丹利降級,但它們的股價不僅沒有受到影響,還繼續攀升到曆史新高。半導體設備類股票(客戶是存儲器製造商)也一落千丈,它們的股價目前處於或者低於2017年9月份時的水平。

 


Jim Cramer在他發表於2017年12月26日的文章“為什麼應該立即避開這類科技公司的股票”中提出了存儲器類半導體公司股價的問題。

 

繼我的文章之後,Jim Cramer在2018年1月8日上傳了一篇名為“Jim Cramer:投資加密貨幣和美光的都是投機者”的文章。

 

看多美光的投資者表示,美光股價的市盈率還不到五倍,Jim Cramer回懟稱:


“對於我來說,它的市盈率不到五倍是看衰它的理由,而不是看漲它的理由。因為美光的股票之前也曾經賣得那麼便宜過,理由無他,隻不過是公司業績對不住其股價估值而已。我和那些看衰它的投資者還有所不同,我屬於認為美光動作太慢的陣營。我之所以不立即看衰美光,是因為它製造FLASH和DRAM兩種芯片,這兩種都是商用器件。FLASH的價格數月前達到頂峰,DRAM的價格也將在未來幾個月因為供應的增加而觸及這段時期的高點,屆時,美光的股價就真的有些支撐不住了。”

 

前段時間,中國國家發展與改革委員會召集三星的代表舉行了一次會議,在會上表達了對三星在DRAM和FLASH市場價格持續不斷攀升中的作用的關切,盡管是直接針對三星,中國發改委的這次舉動對美光也會產生負麵影響。

 

DRAMeXchange將2018年第一季度移動DRAM的營收增長預測值從5%降至3%。DRAMeXchange的一名研究分析師Avril Wu表示:


“中國智能手機廠商請願發改委調查三星在存儲器漲價中的壟斷行為,表示他們希望三星和其它DRAM供應商在開始下一輪漲價前會先謹慎地三思一下後果。”

 

我們現在已經知道,美光科技和英特爾的合作關係馬上就要終結了。英特爾在官方新聞稿中表示:


“兩家公司已經同意在今年年底,最遲延續到2019年年初完成第三代3D NAND技術的開發後,將針對各自公司的業務需求,獨立開發3D NAND技術,以便更好地對技術和產品進行優化。”


2005年,英特爾和美光成立了一家合資公司IMFT,旨在共同製造NAND閃存,第一款產品就是72nm的平麵NAND。

 

根據AnandTech的一篇文章透露:


“英特爾和美光的分道揚鑣並非沒有曆史軌跡可循。早在2012年,英特爾就將其部分IMFT的晶圓廠股份賣給了美光,隻保留了最初在猶他州建設的Lehi晶圓廠。自那時起,英特爾和美光的蜜月期就結束了,兩家公司各自建立了更多自家的晶圓廠,但是研發工作仍然以猶他州的晶圓廠為中心展開。後來,英特爾不再投資最終的16nm平麵NAND節點,將這一代產品的研發工作完全丟給了美光,當時它們正在合作開發第一代3D NAND。”

 

要點

自2017年第三季度末開始,美光科技的股票一直在橫盤震蕩中(正如我在自己的文章中所指出的那樣),最近幾天,由於英特爾發布即將終止和美光科技的合作,其股價更是遭受重創。

 

還有一個更加雪上加霜的消息。DigiTimes的一篇文章透露:


“為了加強在中國NAND閃存市場的地位,英特爾計劃提升其在大連的12英寸晶圓廠的產能,不僅如此,據業內人士透露,它還可能將其技術授權給清華紫光,以便在一年之內終止和美光在NAND領域的合作關係之後,迅速在中國生產3D NAND閃存芯片。”

 

如果真的發生這種情況,這將改變整個NAND市場的生態,對美光科技而言自然是不利的。我在2016年11月18日發表的一篇名為“清華紫光和美光科技:如果一開始就沒有成功”的文章中提出了三個觀點:


1、據報道,在收購美光科技失敗後,中國的清華紫光提出了若幹合作交易形式。
2、隨著中國政府采取積極的舉動提高其半導體製造能力,在未來的幾年內,中國本土將有三家新的DRAM和NAND公司投入運營。
3、這些中國存儲器公司的進入可能會改變整個存儲器行業的生態平衡。

 

2016年7月26日,清華紫光收購了總部位於北京的存儲器片製造商武漢新芯半導體製造公司(XMC)的多數股權,隨後,紫光成立了一家名為長江存儲科技有限公司(YRST)的公司,收購美光科技的失敗可能是迫使清華紫光著手兼並中國本土公司的主要原因。

 

成立之後,長江存儲宣布計劃建設300mm晶圓廠,分三期建設,總耗資達240億美元。一期工程已經於2016年年底完成,二期工程預計將於2018年完成,三期工程預計將於2019年完成。根據規劃,最早在2017年年底達到每月約30萬片晶圓的產能。長江存儲將使用Spansion的技術生產32層3D NAND芯片。

 

美光繼續高傲地拒絕了清華紫光提出的合作協議,但是英特爾顯然認為,和紫光合作要比繼續與美光合作更加有利。更重要的是技術轉讓帶來的深遠影響。這幾年,美光科技一直在起訴中國存儲器件製造商,以保護自家的知識產權。介於英特爾擁有和美光類似的知識產權,將技術轉讓給中國公司將幫助它們快速提升技術水平。